周二(4月14日)存储芯片概念股走强，截至午间收盘，协创数据20CM涨停，佰维存储、京仪装备等涨超10%。

高带宽闪存来了

闪迪已涨近30倍

消息面上，据记者，据ETNews报道，闪迪已开始与材料、组件和设备合作伙伴接洽，以构建HBF原型生产线的生态系统。

该公司计划于今年下半年推出原型产品，日本已成为其生产基地的热门候选地。业内人士透露：“闪迪正在与企业探讨合作，目标是在下半年引入HBF关键设备。”其估计，试点生产线将于下半年建成，并在年底前后投入运营，目标是在2027年实现商业化。

另据The Bell援引消息人士指出，随着样品生产的正式启动，闪迪似乎将提前约六个月完成此前公布的HBF开发路线图。根据闪迪去年公布的HBF开发路线图，该公司原计划于今年下半年开始供应HBF样品，并推动基于HBF的AI设备样品在2027年面世。

HBF是高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。

值得注意的是，日前纳斯达克宣布，闪迪将于4月20日开盘前取代软件即服务（SaaS）巨头Atlassian Corp Plc加入纳斯达克100指数。过去一年，得益于AI热潮下的存储芯片超级周期，该股已涨逾2900%。

主力资金：

抢筹这些票

石英股份、国科微、朗科科技、澜起科技、生益科技、华虹公司、江波龙、利扬芯片、大为股份、中电港等个股主力净买额在9.2亿元至2亿元之间不等。

高盛：

存储面临十五年最严重短缺

高盛日前发布的报告指出，2026-2027年全球存储器市场将经历史上最严重的供应短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品类供需缺口均大幅扩大。

其中2026年DRAM缺口将创15年之最，NAND短缺规模亦达历史高位，即便消费电子需求大幅下滑，服务器市场的疯狂吞噬能力仍将维持紧张格局。

在DRAM方面，高盛预测2026年和2027年DRAM供不应求幅度将达到4.9%和2.5%，远超此前预期的3.3%和1.1%，其中2026年的供应短缺将是过去15年以来最严重的一次。

信达证券表示，全球AI产业链持续扩张，海外与国产AI芯片、存储芯片领域迎来发展机遇，相关企业凭借技术优势和市场地位有望受益于行业增长逻辑。

万联证券指出，在算力基础设施和AI云需求拉动下，AI服务器对DRAM和HBM需求强劲增长，原厂DRAM供应处于趋紧状态，存储原厂更主动地推动合约价上调并加快价格传导节奏，二季度原厂DDR5价格整体上涨约30%。据CFM最新价格显示，2026年4月，DDR5 RDIMM 32GB、64GB、96GB价格分别上涨至650美元、1220美元、1980美元。AI算力建设方兴未艾，算力产业链中高景气细分赛道如PCB、存储等需求旺盛，同时PCB及存储均处于景气扩张周期，有望拉动上游设备及材料需求，建议关注PCB、存储等细分赛道及产业链投资机遇。

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