在需求强、供给紧、价格涨三重因素叠加下，市场开始重新定价存储芯片公司的盈利弹性。与此同时，头部企业也在加速向先进制程及高端产品线迭代。有机构建议，继续把握存储产业链高确定性成长机遇。

美光、SK海力士市值均破万亿大关

5月26日美股收盘，美光科技股价大涨19.29%，报895.88美元/股，总市值突破1万亿美元大关，盘后仍涨近2%。年初至今，美光科技累计涨幅高达214%。

与此同时，5月27日韩股开盘，SK海力士股价飙涨10%，市值亦突破1万亿美元大关。至此，存储三巨头——三星电子、SK海力士、美光科技均已跻身“万亿俱乐部”。

近来，得益于市场对其存储芯片的旺盛人工智能需求，华尔街各大投行近期纷纷上调美光评级。

瑞银（UBS）在最新报告中，将美光科技的目标价从535美元/股大幅上调至1625美元/股，为华尔街最高水平，并给出总市值1.8万亿美元的乐观预判。

该机构写道：“我们认为，市场将开始对美光给出更‘正常’的估值倍数，随着人工智能给整个存储芯片领域带来的结构性变化细节进一步明朗，美光股价将继续获得重估上调。”

分析师Timothy表示，在有利价格水平下的存储芯片需求，“将使美光能够以部分近期营收换取需求可见度，并实现更平滑的盈利表现。”

三星电子在研发端取得新进展

据媒体报道，三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片450层3D NAND，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

将两片 450 层 NAND“摩天大楼”整合为一片 900 层 NAND，这一过程对键合的可靠性提出了极高要求。

报道称，三星电子在原型制造中以“上部卡盘”技术（Upper Chuck) 解决了高层堆叠晶圆翘曲问题，并以新型套刻校正技术克服了微细对准误差，此外位线 (BL) 与字线 (WL) 的改进也同时改进了功耗和尺寸。

作为AI服务器、数据中心SSD及高端手机存储核心，3D NAND层数直接决定存储密度。当前量产市场SK海力士以321层4D NAND领先，三星计划年内量产400层以上第十代V-NAND，此次900层原型将技术差距进一步拉大。

行业高景气有望延续至2027年

今年以来，AI基建浪潮如火如荼，带动存储芯片需求快速上升，而行业供给仍然偏紧。

据IDC预测，2026年全球DRAM需求增速将达45%，NAND需求增速达38%，而供给增速分别仅为16%和17%，均低于历史平均水平，供需缺口将持续扩大至2027年上半年。

“部分投资者担忧消费电子需求可能承压，影响存储需求及未来价格涨幅。但我们认为AI存储需求强劲，存储价格有望继续保持强劲表现。”东方证券近日在研报中指出，建议继续把握存储产业链高确定性成长机遇。

在中信证券看来，当前存储原厂扩产面临主客观双重约束，2026年有效产能释放受限，预计新产能实质释放需待2027年底至2028年，且过程中供给增速上修空间有限。坚定看好存储产业趋势，行业有望维持高景气，原厂及相关存储设计公司有望更长时间维持高盈利。

招商电子团队也表示，当前存储缺货持续加剧，供应很难在短时间内大幅增加，预计供需缺口或将持续至2027年，存储合约价涨势同样将延续，后续市场价格趋势和各环节公司业绩增长持续性是核心关注点，建议关注存储+设备+产业链三大核心环节相关公司。

多股本月获融资客超10亿元抢筹

年初至今，约85%的存储芯片概念股录得股价上涨，多达31股股价翻倍。除了大普微、中科仪、红板科技3只次新股，科翔股份大涨逾3倍，普冉股份、国科微亦涨逾2倍。

5月以来，近九成存储概念股延续升势，平均涨幅约24.68%，除了大普微，长电科技月内涨幅已超九成。

16股今年业绩有望倍增

业绩方面，超七成存储芯片概念股在一季度迎来业绩增长或改善，其中，多达40只存储芯片概念股一季度净利同比增幅在100%以上。

其中，主营存储分销的香农芯创一季度净利润同比暴增超78倍，存储模组龙头佰维存储一季度实现净利28.99亿元，上年同期为亏损1.97亿元；德明利、江波龙一季度净利分别达33.46亿和38.62亿元，均实现大幅扭亏为盈。

其中，机构预计江波龙、佰维存储今年业绩将分别大增7.7倍和5.8倍，香农芯创、精测电子将实现逾3倍净利增长，精智达、国科微、华虹公司等6股预测净利增幅均在2倍以上。

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