碳化硅迎量价齐升新空间。

碳化硅迎量价齐升新空间

AI产业的蓬勃发展正深刻重塑传统产业的格局，碳化硅（SiC）行业也有望借此契机迎来景气度反转。

华西证券研报指出，AI数据中心功耗升高、英伟达800V架构推出，AI电源成为关键一环，SiC作为功率器件有望重点受益，产业链多家厂家已着手布局SiC的固态变压器（SST）。车规市场SiC渗透率仍较低，仍有较大成长空间，结合AI电源需求，其判断到2030年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元，有望实现近8倍增长，其中8英寸下游FAB线的大量扩产有望大幅刺激衬底与设备需求。

开源证券也表示，英伟达推动数据中心电源架构向800V高压直流升级，显著拉动碳化硅价值量与渗透率。根据Citrini Research测算，每1MWAI机柜电源转换BOM成本中，SiC、GaN等宽禁带器件占新增成本64%。预计2024—2030年SiC市场规模由35亿美元增至124亿美元，AI基础设施将贡献近半数需求。

高成长股揭秘

士兰微、天岳先进等个股近期机构研报提及碳化硅。

国信证券研报指出，未来随着碳化硅与模拟产品布局，为士兰微持续增长奠定基础，新增产能包括：规划总投资200亿元的12英寸高端模拟集成电路芯片生产线（士兰集华）；6英寸SiC产线（士兰明镓）月产能已达1万片，预计2026年实现满产；8英寸SiC功率器件芯片生产线（士兰集宏）已于2025年四季度通线，月产5000片，预计2026年下半年正式投产。

国投证券研报指出，在AI数据中心供电方案中，天岳先进配合全球头部功率器件厂商，就下一代电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破。在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于高功率激光器芯片的散热层，并已形成批量出货。同时，公司于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英寸新时代。

数据宝统计，A股市场碳化硅概念股合计有30多只。根据机构一致预测，有12股今明两年净利润增速均超20%。其中，士兰微、斯达半导、博敏电子等个股预测今明两年净利润增速均超30%。

从机构关注度来看，麦格米特、扬杰科技等个股均有10家以上机构评级，斯达半导、新洁能、士兰微等均有3家以上机构评级。

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